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SiP Turnkey業(yè)務(wù)內(nèi)容
主要應(yīng)用領(lǐng)域
工控電子
消費類電子
汽車電子
醫(yī)療電子
通信及服務(wù)器
SiP工藝路線
SiP設(shè)計加工能力
晶圓減薄、劃片能力:
6吋、8吋、12吋晶圓減薄能力,最小芯片厚度50um
最小劃片道寬度60um
芯片貼裝、打線能力:
多芯片堆疊:WB堆4層以上、FC+WB堆疊
高密度、低弧高(35um)、窄間距(50um)打線
倒裝貼片能力: 90um節(jié)距Cu Pillar,150um節(jié)距Solder Bump
Molding:Strip產(chǎn)品,0.4/0.45/0.54/0.6/0.68/0.7/0.8/0.9/1.0/1.5/2.5/4.0mm厚模腔
細間距植球技術(shù):BGA植球,球徑250um,球間距400um
50um Thin Die Stack
40um Loop Height W8
80um Pitch BOT FC
58um Pitch Forward Loop
Wb Die Stack
400um Pitch BGA
SiP設(shè)計種類
Wire Bonding & Die Stack
Flip Chip
Embedded
Package on Package
Multi-chip Module
Package in Package
SiP案例
功率驅(qū)動模組
模組系統(tǒng)架構(gòu)
原板卡尺寸:40mm*40mm
BOM:邏輯門電路+4*IRS2110+阻容器件
封裝形式:LGA
模組尺寸:15×15×1.8mm(面積僅為原來的15%)
溫度范圍:-45-125℃
核心控制模組
模組系統(tǒng)架構(gòu)
原板卡尺寸:40mm*40mm
BOM:FPGA+ADC+EEPROM+SPI FLASH+3*LDO
封裝形式:BGA
模組尺寸:19×19x3.6mm(面積僅為原來的23%)
溫度范圍:-45-125℃
控制模組
模組系統(tǒng)架構(gòu)
BOM:FPGA+DSP+FLASH+SDRAM+EEPROM+SPIFLASH
封裝形式:BGA
模組尺寸:30×30x20mm(面積僅為原PCB方案的18%)
溫度范圍:-45-125℃
SiP案例-陶瓷模組
陶瓷基板設(shè)計
陶瓷基板封裝
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